Hitrost SSD na telefonu

Samsung je pričel s serijsko proizvodnjo nove serije vgradnih pomnilniških vezij z oznako Samsung 512GB eUFS 3.1. Gre za pomnilniška vezja, namenjena vgradnji v mobilne naprave. Najpomembnejši novosti, ki ju prinaša nova serija napram različici 3.0, ki jo je korejski proizvajalec predstavil v začetku lanskega leta, se nanašata na hitrost branja in zapisovanja.  Nova različica nudi kar trikrat višjo hitrost zaporednega zapisovanja, ki je sedaj enaka zaporedni bralni hitrosti (oboje je sedaj 1200 MB/s), ter 1,6-kratno povečanje hitrosti naključnega branja, ki je iz 62.000 IOPS skočilo na 100.000 IOPS (vhodno/izhodnih operacij v sekundi).

Številke so sicer videti dobro, kaj pa pomenijo v praksi pa si je težko predstavljati. Malce bolj zgovoren podatek je, da je pomnilnik eUFS 3.1 okoli desetkrat hitrejši od običajnih kartic UHS-I microSD in dvakrat hitrejši od SATA SSD, je pa počasnejši od PCIe NVMe SSD. Te številke dajejo nekaj več občutka, še več pa ga dobimo, če nov »telefonski« pomnilnik primerjamo s tistimi iz preteklih let.

Samsung module kapacitete 512 GB že izdeluje, v prihodnjih mesecih pa bo pričel tudi s proizvodnjo vezij 256 in 128 GB.

Vir: Samsung