Samsung je pričel s serijsko proizvodnjo nove serije vgradnih pomnilniških vezij z oznako
Samsung 512GB eUFS 3.1. Gre za pomnilniška vezja, namenjena vgradnji v mobilne naprave. Najpomembnejši novosti, ki ju prinaša nova serija napram različici 3.0, ki jo je korejski proizvajalec predstavil v začetku lanskega leta, se nanašata na
hitrost branja in zapisovanja. Nova različica nudi kar
trikrat višjo hitrost zaporednega zapisovanja, ki je sedaj enaka zaporedni bralni hitrosti (oboje je sedaj
1200 MB/s), ter
1,6-kratno povečanje hitrosti naključnega branja, ki je iz 62.000 IOPS skočilo na
100.000 IOPS (vhodno/izhodnih operacij v sekundi).
Številke so sicer videti dobro, kaj pa pomenijo v praksi pa si je težko predstavljati. Malce bolj zgovoren podatek je, da je pomnilnik eUFS 3.1 okoli
desetkrat hitrejši od običajnih kartic
UHS-I microSD in
dvakrat hitrejši od
SATA SSD, je pa
počasnejši od
PCIe NVMe SSD. Te številke dajejo nekaj več občutka, še več pa ga dobimo, če nov »telefonski« pomnilnik primerjamo s tistimi iz preteklih let.
Samsung module kapacitete 512 GB že izdeluje, v prihodnjih mesecih pa bo pričel tudi s proizvodnjo vezij 256 in 128 GB.
Vir:
Samsung
